1. 尼康28nm光刻机
不能做。
中国只有中微半导体和北方华创还算可以，但这两家公司不是造光刻机的。
荷兰在半导体设备制造方面是真的强，ASML吃掉了全世界光刻机市场的95%，佳能和尼康一般也不外卖。
中国光刻机，目前的最先进水平，应该是上海微电子的能制造28nm制程芯片的duv光刻机，有潜力做到7nm制程，但需要其他领域的配合。
2. 28nm 光刻机
目前未知。
28纳米光刻机应该指的是上海微电子的28纳米duv光刻机。该光刻机去年通过技术检测和验证，不过具体量产时间目前未知，上海微电子方面也没有具体订单宣布。
3. 尼康14纳米光刻机
全世界能够生产光刻机的，只有四家公司，分别是荷兰的阿斯麦，还有日本的尼康和，还有中国的上海微电子厂！
佳能生产的光刻机，标称精度是90nm，经多重曝光，最多也只用到28nm左右！
全世界能够生产7nm及以下的EUV光刻机，只有ASML能生产。尼康的水平是生产浸入式光刻机，标称精度是28nm，经多重曝光，一般最多也只用于14nm。
而国内最牛的是上海微电子，已公开量产的光刻机标称精度是90nm，经多重曝光，最多也只用到28nm，
4. 尼康5nm光刻机
目前最先进的光刻机是荷兰ASML生产的。除了荷兰，日本、中国也可以制造光刻机，日本的代表企业是尼康和佳能，中国的代表企业是上海微电子（SMEE）。上海微电子目前可以制造出28nm光刻机，而ASML可以制造出最先进的5nm光刻机，差距还是很明显。我们的企业一直在努力，特别是在美国对我国高端光刻机进行封锁的情况下，国内企业的独立自主研发更显重要。
5. 28nm光刻机多少钱一台
理论上可以生产7nm芯片。
国产28nm光刻机可以生产7nm芯片。28nm光刻机也就是duv深紫外光光源波长的光刻机，目前该类型光刻机最高制程就是7nm。能够达到duv光刻机7nm芯片量产的有台积电和三星两家，而中芯国际也能制造7nm芯片，只不过良品率没到量产阶段，其7nm芯片晶体管密度能达到台积电10nm水平。
6. 尼康14nm光刻机
上海微电子成立于2002年，2007年就研发成功了国内首台90nm工艺光刻机。同时，近十几年来，我国一直在致力于研究光刻机，但是取得的成果不容乐观。如今，13年后，国产光刻机企业还是停留在90nm工艺光刻机，跟ASML、尼康等具备28nm以上工艺光刻机的企业相比，差距还是比较大的，尤其是跟asml7nmEUV的差距更大。
7. 尼康的光刻机
光刻机有美国、德国、日本、中国的零件。
目前全球只有四家可以制造光刻机，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康、佳能、中国。而对于整个光刻机来说，最高端的euv光刻机里，零部件主要来自于美国，其次是日本、德国等。而中国、日本可以制造中端duv光刻机。再有就是台积电、韩国三星、美国英特尔少数几家企业在光刻机的应用技术非常强。
8. 尼康新型光刻机
ASML的成立很偶然，是另一家著名公司飞利浦，随手促成玩玩的，完全没指望他可以做大。
ASM的老板叫Arthur del Prado，毕业于哈佛商学院。毕业后回到荷兰创建了ASM。
他的目标，是在欧洲建立一座硅谷。
正好，当时光刻机门槛不高，飞利浦刚刚在实验室里研发出了自动化步进式光刻机的雏形，但这个雏形还不够成熟。
飞利浦拿着它去找业界老大，但无论是GCA还是P&E，都不愿意合作，瞧不上这个不成熟的东西。
ASM主动找上门来，想要寻求合作，但飞利浦又嫌弃ASM体量太小。
飞利浦这个光刻机高不成低不就的，就快砸手里了。
1983年，ASM在纳斯达克上市了。飞利浦意识到，这个ASM比自己想象中的似乎强不少。
于是，飞利浦再次找到ASM，打算给自己的光刻机找个接盘侠。
为什么说是接盘侠呢？
因为原本飞利浦和ASM谈的是，双方各出210万美金，成立一个合资公司ASML。
但真等到要拿钱出来的时候，飞利浦连这点钱也不愿意拿，硬是用一些还不太成功的库存PAS2000光刻机抵了180万美金。
换句话说，飞利浦真没觉得这生意能做大，就想借这个公司占一个坑观望观望。
事实上，初期的确如此。
ASML成立之初，只有31个员工，这31个员工就在飞利浦豪华玻璃大楼外面的小破木板平房里办公，连大楼都进不去，跟要饭的差不多，业绩也是极为惨淡。
1986年，半导体市场遭遇危机，整体来了个大滑坡，光是三星就在半导体上亏了3亿多美元！
连带着搞光刻机的厂商，也遭了殃。美国的GCA找不到买主被关闭，Ultratech被卖出去后还缩小了规模，P&E也被卖给了SVG……
美国三雄的地位，已经完全被尼康和佳能替代了。
而ASML本身规模小，想亏也没啥能亏的，尼康占据了高端的市场，原来的美国公司没了，反而让他们有了10%的市场占有率。
和尼康比起来，他们就是个小虾米。
但谁也没有想到的是，整个光刻机行业的发展瓶颈，给了ASML一个意外咸鱼翻身，反超尼康的机会！
尼康光刻机
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ASML反超尼康的机会，来源于光刻机技术碰见困难了，前进不了，整个行业都卡那儿好多年了，前方堵车，此路不通。
困难是什么呢？
做芯片这件事，就是在硅上用刀雕花刻字，激光就是那个刻字的“刀”。
光源的波长数小了，刀更精致了，能加工的芯片自然而然也就更加精细了。
而全世界已经卡在193nm很久了，寸步难进。
当时的业界有好几个思路。
第一种，是以尼康为代表的157nm。这种做法的难度在于，157nm光会被现有193nm机器用的镜片吸收，相对应光刻胶也要重新研制。
重新研制问题也不大，但从193到157，这个进步实在是太小了，很有可能入不敷出。
以前，尼康因为镜头出色，而为自己打出了一片天地。而这时候，事事亲力亲为，成了它失败的原因。
由于要自己研发，慢，成了它的第一个弱点。同时，事事都做，就不可能事事都做得好。于是，尼康在研发过程中经常不是这里出了问题，就是那里有个毛病。
第二种，是将光源改为极紫外光EUV，它只有13.5nm，但难度更大，以当时的技术根本实现不了。
所以这两种思路在当时，都失败了。
这时候，台积电的一个叫做林本坚的工程师，提出了一个独树一帜的新思路：
只要在光刻胶上加一层水，激光入水折射，193nm不就一下变成134nm了吗？
但他的想法刚提出来的时候，根本就没有人买林本坚的账，甚至还有大公司高层找到台积电，希望有人管管林本坚，让他不要出来瞎搅合。
但林本坚没放弃，他找来找去，终于找到了ASML，愿意和他合作。
两家一拍即合。2004年，双方共同研发出了全球第一台浸润式光刻机！
尽管尼康也宣布157nm的样机研制成功了。但ASML的机器显然弯道超车了，更受欢迎。
光刻机的市场就那么大，这一场道路选错要了老命，尼康大输一阵！
如果说，尼康在市场占有率上的第一次被反超，还只是路线选择错误翻车了的话，那么后来差距的被进一步拉大，就完全是政治问题了。
林本坚的思路是一个取巧的办法，但彻底改变光源才是未来势必要走的一条路。
早在1997年，英特尔就和美国能源部牵头，拉了AMD、摩托罗拉等搞了一个前沿组织EUV LLC。
这个组织实力非常强大，成员囊括了美国劳伦斯利弗莫尔、劳伦斯伯克利和桑迪亚三大国家级实验室。
前后有近40个国家加入战团，欧美发达国家几乎悉数入局，是业内科研最为顶级的组织！
对于尼康和ASML来说，两个企业势必要拉一个进来。
然而，美国选择了ASML，尼康被排除在外了——美国怕尼康窃取自己的技术，也怕日本掌握核心技术不安全。
同时，ASML没少给美国承诺，立投名状。
EUV光刻技术比以往复杂了百倍：
光源需要重新来，镜头需要重新磨，光源的功率需要提升……总之，没近路可以抄。
日本尼康就是在科研上再厉害，也比不过全世界集体合作。
2009年，Cymer公司的EUV光源功率达到100W，接近商业化指标，成为了ASML的光源模组供应商。
终于，EUV光刻机研制成功。
前前后后算起来，钱还是其次，无数科研人员的精力和时间，是多少钱都买不来的。
一台EUV光刻机的重量超过180吨，整个光刻机的零配件超过10万件，而要想把这样的一台光刻机从出厂运到客户工厂中，至少需要40个集装箱！
仅仅是从安装到调试，就需要一年的时间。
和这样宏大的项目比起来，尼康力有未逮，和ASML的差距越拉越大，绝望得再也看不到翻盘的希望。
其实，不要说日本了，对全世界任何一个国家来说，ASML都是众星捧月的那个“月亮”，他一马当先，其他人都难以望其项背。
日本人曾经研究过ASML，他们发现，ASML的一台EUV光刻机有超过10万个零件，其中90%的零部件都依赖外购。
有美国Cymer的光源（2013年被ASML收购），有德国蔡司的顶级镜头，有英特尔的技术分配，有瑞典的轴承，有法国的阀件，等等等等……
ASML作为集大成者，自己需要做的主要是设计和组装，不需要管工厂生产。
换句话说，ASML作为顶级光刻机的背后，是全世界多个国家的顶尖技术的通力配合，整个人类上百年科技的结晶，更是全球化的产物。
如果中国的光刻机击败了ASML，不是中国单挑赢了荷兰，而是中国单挑赢了全世界。中国，加油！
9. 尼康光刻机技术
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：
ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：
其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。
其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。
193nm的光经过折射后，等效波长为134nm，从而实现比F2光源更高的分辨率。浸没式ArF的代表厂商是ASML和台积电。由于F2光源无法穿透水，因此无法和浸没式技术相结合，进一步提升分辨率。ArF湿法在光刻精度上胜于F2。
以ArF浸没式为切入点，ASML成为DUV时代龙头。2002年台积电林本坚提出ArF浸没式方案，随后ASML在2003年成功推出第一台浸没式光刻样机。尼康虽然在2006年也顺利推出ArF浸没式光刻机，但市场先机早已被ASML夺走。伴随着ASML和台积电ArF浸没式技术的成功，ASML和台积电实现了双赢。在光刻机领域，ASML开始奋起反超Nikon；台积电也成为第一家实现ArF浸没式量产的公司。
因为ArF系列光刻机可用于制造7nm-130nm制程的芯片，而且该制程范围内的芯片占芯片供应的60%多，所以ASML的市场份额快速提高，自2006年超越尼康成为全球光刻机龙头以后，其行业领导地位维持至今。同时，由于核心浸没式技术主要来自台积电，所以美国在DUV领域不具备统治地位，ASML向中国出货DUV光刻机也无需得到美国授权。
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